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檢測絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT)好壞的方法

有什么好方法
提問者:網(wǎng)友 2017-02-12
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檢測絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT)好壞的三大方法 1、判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G)。其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。 2、判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT的發(fā)射極(E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT被阻斷,萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。 3、IGBT模塊任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時(shí),一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通,而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。 更多文章來自北京瑞田達(dá)
回答者:網(wǎng)友
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